日本大学开发出227.5nm紫外LED
摘要: 由日本理化学研究所与崎玉大学合作组成的研究团队开发出波长227.5 nm、输出0.15mW的紫外LED。
由日本理化学研究所与崎玉大学合作组成的研究团队开发出波长227.5 nm、输出0.15mW的紫外LED。
迄今为止,其他研究团队已经报道的UV LED的波长为210nm,但其输出却仅为0.02μW。这一次,这一研究团队不仅推出了227.5nm UV LED原型,还成功开发出波长为253nm输出1mW、波长为261nm输出1.65mW及波长273nm输出为3.3mW的UV LED原型。根据这一研究团队,这些UV LED的输出与电灯泡使用的蓝光、红光、白光LED的输出实质上相当,并满足杀菌灯所需的输出水平。
由RIKEN与崎玉大学组成的研究团队在制备UV LED时使用的是AlGaN半导体材料,先在蓝宝石衬底上形成AlN层,然后再依次叠加n型AlGaN层、AlGaN发光层(三量子阱结构)和p型AlGaN层。另外,研究团队改进了在蓝宝石衬底上生长AlN层的方法,新方法通过交替使用两种不同的生长方法形成了多个AlN层:首先,在间歇供应氨气时持续提供Al材料生成一层AlN层,然后再通过持续供应氨气和Al来生成另一层AlN层。
这一生长方法叫做氨脉冲式供应多层生长法(Ammonia pulsed supply multiple layer growth method),其优点在于可降低AlN层的线位错密度、增加晶体层平滑度,并减少因晶体变形引起的裂缝。由于AlN层的质量及平滑度得到了提升,在AlN层上形成的其他层的质量及平滑度也跟着得到提升,AlGaN发光层的输出也因此比以前提高了近50倍。
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