加州大学圣地亚哥分校分离公司Quanlight称其新材料技术将提高红光LED的亮度和波长稳定性、降低成本，公司刚在风险投资中[由Blackbird Ventures 和(SHW)2主持，Blackbird的执行总裁成为Quanlight的首席执行官获得300万美元的资金，这些钱足以将这一新技术由研发阶段转化为初始晶片生产。

　　Quanlight的技术基于一个掺有百分之几氮的InGaNP材料系统，是通过在GaP衬底上进行假晶生长制得的，这一生长方式无需晶片键合。假晶生长意味着GaP和InGaNP之间存在着很小的晶格失配，但不足以在外延片中产生引起麻烦的应力。

　　InGaNP的内在特性要优于被广泛用于红、黄、橙光LED的AlInGaP材料，这些特性包括更大的价带偏移，并由此使器件拥有更好的波长稳定性，在高电流密度及/或高温下亮度更高。

　　掺氮方法之前也曾用于商业应用，特别是光纤通信中的长波长激光器，但成功程度有限。Quanlight的方法却与之有所不同：MOCVD法生长的InGaNAs材料中铟含量高达40%，用以激发激光器发出1.3μm的光。这导致了外延层中应力很大，从而缩短了器件寿命，降低了稳定性。而InGaNP中铟的浓度要低得多，避免了上述问题。

　　在国际权威物理学期刊应用物理快报上，Quanlight对MBE法InGaNP外延生长及随后的LED芯片制备进行了描述。但为了实现LED的商业化生产，Quanlight正将这一外延生长工艺转接到MOCVD平台上，并使用3英寸GaP衬底。 Quanlight称目前所有技术上的里程碑均已达到，转化过程进展顺利，芯片的最优化则正在进行中。

　　Quanlight公司正在使用的，是用传统LEC(液封直拉法)生产的GaP材料。公司与衬底制造商PVA Tepla的合作将有望使用垂直梯度冷凝工艺生产出缺陷密度更低的晶体。

　　在融资的帮助下，Quanlight希望今年底完成对红光LED的开发，其生产定于08年初。公司可能会进行技术授权或外包生产，并无超越外延业务的意图。（编辑：PCL）