2006年8月22日，虽然基于 GaN 或 AlInGaP 的红、蓝光LED(蓝宝石、SiC 和GaAs衬底)已取得重大进步，但绿光LED的发展步伐却显得跟不上时代，导致了照明或显示屏背光源应用方面的“绿光缺口”。现在，由Kyma Technologies公司与Rensselaer工学院(Rensselaer Polytechnic Institute)的Christian Wetzel and E. Fred Schubert两位教授合力负责的“MOVPE(金属有机物汽相外延)法生长同质外延来制备高性能绿光LED”项目有望缩短这个差距，已被DOE(美国能源部)选为SSL核心技术工程的一部分，并将对其投资180万。

　　在这个项目，Kyma公司与Rensselaer工学院分工如下：

　　Kyma公司继续其纯GaN晶体专利制造技术的开发，并向与Rensselaer的研究员提供极性和非极性两种低缺陷密度的纯GaN衬底进行LED的外延生长、制备和性能测试。

　　非极性LED比常规极性GaN在性能有很大的优越潜能，但最初长于r-plane兰宝石上的非极性LED功率输出却相对较低，其原因被归结为高缺陷密度，而使用Kyma的纯GaN衬底可将缺陷降为原来的万分之一以下。

　　而Rensselaer工学院计划于“压电效应”处着手，希望通过控制某些压电些材料受压产生电场的这种效应，开拓制备更高密度绿光LED的工艺，将电能更有效地转换成光。Rensselaer的两位教授确信Kyma纯 GaN 衬底在绿光LED上的价格及性能潜力，实现SSL的通用照明承诺。

　　Kyma还与美空军研究实验室(AFRL)签有为期三年的合作研发协议，项目目标为通过使用纯氮化物衬底来改进GaN基晶体管的稳定性，其重点为X-ray和Hall analysis的性能测试技术。GaN衬底场效应管的全面高效稳定性测试也是该项目的组成部分。（编辑：ZQY）