Crystal IS获得500万美元的风险投资
摘要: 位于美国纽约沃特佛利特(Watervliet)的AlN衬底开发商Crystal IS最近完成第一阶段融资,获得近500万美元的风险投资。
2004年9月28日报道:位于美国纽约沃特佛利特(Watervliet)的AlN衬底开发商Crystal IS最近完成第一阶段融资,获得近500万美元的风险投资。Crystal IS始建于1997年,创始人为RPI的物理学教授Glen Slack和Leo Schowalter。公司位于RPI(Rensselaer综合技术研究所) luchbator中心。位于奥尔巴尼(纽约州首府)大学的奥尔巴尼NanoTech也为Crystal IS提供战略辅助,包括咨询下游半导体材料加工的能力。公司的投资方包括ARCH风险投资公司﹑JVP﹑3i﹑Harris & Harris集团,以及纽约当地投资家Walt Robb。
这个与PRI(Rensselaer综合技术研究所)联合的年轻而又具有创新能力的公司已经在生产超低缺陷密度的本征AlN(氮化铝)单晶衬底方面取得重大的突破,目前氮化物单晶衬底逐渐在信号灯、军事、生化、信息技术、无线通信、显示照明等领域被广泛应用。公司正在研发紫外LED和激光器﹑压电传感器﹑军用大功率RF晶体管,以及白光照明器件,尤其是DARPA的SUVOS计划中的深紫外LED。该公司还在研究用于紫外杀菌辐照、生物制剂与化学探测、白光照明及某些军事应用(例如DARPA的SUVOS计划的预期应用)的紫外LED及激光器﹑用于无线基站及某些军事应用的大功率RF晶体管﹑以及下一代表面声波(SAW)器件。(编辑FJ)
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